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로옴, 4단자 패키지를 채용한 SiC MOSFET ‘SCT3xxx xR 시리즈’ 개발
기존품 대비 스위칭 손실 35% 저감 통해 기기 저소비전력화에 기여

[로옴 제공] 로옴(ROHM)은 고효율이 요구되는 서버용 전원 및 태양광 인버터, 전동차의 충전 스테이션 등에 최적인 트렌치 게이트 구조 SiC MOSFET ‘SCT3xxx xR 시리즈’ 6기종(650V/1200V 내압)을 개발했다.

로옴의 트렌치 게이트 구조 SiC MOSFET ‘SCT3xxx xR 시리즈’ [사진=로옴]

이번에 개발한 시리즈는 SiC MOSFET가 지닌 고속 스위칭 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 4단자 패키지(TO-247-4L)를 채용했다. 이에 따라, 기존의 3단자 패키지(TO-247N) 대비 스위칭 손실을 약 35% 저감해 각종 기기의 저소비전력화에 기여한다.

또한, SiC 디바이스의 구동에 최적인 로옴의 게이트 드라이버 IC(BM6101FV-C) 및 각종 전원 IC, 디스크리트 제품을 탑재한 SiC MOSFET 평가 보드 ‘P02SCT3040KR-EVK-001’도 제공함으로써, 디바이스 평가를 간단히 실시할 수 있는 솔루션을 제안하고 있다.

SiC MOSFET 평가 보드 ‘P02SCT3040KR-EVK-001’ 구성 [사진=로옴]

최근, AI 및 IoT의 도입에 따라, 클라우드 서비스에 대한 요구가 높아지고 있으며, 전 세계적으로 데이터센터의 수요가 확대되고 있다. 데이터센터 등에서 사용되는 서버의 경우, 대용량화 및 고성능화가 추진됨에 따라, 소비전력량을 얼마나 저감할 수 있는지가 과제로 떠오르고 있다.

한편, 지금까지 서버의 전력 변환 회로에서는 실리콘(Si) 디바이스가 주류를 이루고 있었지만, 한층 더 손실이 적은 SiC 디바이스가 주목을 받고 있다. 특히 TO-247-4L 패키지를 채용한 SiC MOSFET는 기존 패키지에 비해 스위칭 손실을 저감할 수 있으므로 서버 및 기지국, 태양광 발전 등의 고출력 애플리케이션에서의 채용이 기대되고 있다.

로옴은 2015년에 세계 최초로 트렌치 게이트 구조를 채용한 SiC MOSFET의 양산화에 성공하는 등, 업계를 선도하며 제품 개발을 추진해 왔다. 이번에 새롭게 개발한 650V/1200V 내압의 저손실 SiC MOSFET를 비롯하여, 앞으로도 혁신적인 디바이스 개발을 추진해 나가고자 한다.

또한, SiC 구동에 최적인 게이트 드라이버 IC 등을 포함한 솔루션 제안을 통해 각종 기기의 저소비전력화에 한층 더 기여해 나갈 것이다.

[정형우 기자 (news@industrynews.co.kr)]

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