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로옴, 4단자 패키지를 채용한 SiC MOSFET ‘SCT3xxx xR 시리즈’ 개발기존품 대비 스위칭 손실 35％ 저감 통해 기기 저소비전력화에 기여
  • 정형우 기자
  • 승인 2019.09.30 11:20
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