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온세미컨덕터, PCIM 2019서 절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버 공개
온세미컨덕터는 ‘PCIM 유럽 2019’에서 SiC 기반의 하이브리드 IGBT 및 관련 절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버를 전시할 예정이다.

전류 성능 및 보호기능을 제공하는 다양한 IGBT 드라이버 공개 예정

[인더스트리뉴스 이건오 기자] 에너지 효율 혁신을 주도하는 온세미컨덕터는 5월 7일, 독일 뉘른베르크에서 개최되는 ‘PCIM 유럽 2019’에 새로운 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 하이브리드 IGBT 및 관련 절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버를 출시 및 전시할 예정이라고 밝혔다.

AFGHL50T65SQDC는 최신 필드 스톱 IGBT 및 SiC 쇼트키 다이오드 기술을 사용해 토템 폴(Totem Pole) 기반의 브릿지리스 PFC(Bridgeless Power Factor Correction) 및 인버터와 같은 리버스 리커버리(Reverse Recovery) 손실 감소로부터 이점을 얻으며 다중 전원 애플리케이션에서 낮은 도통 및 스위칭 손실을 제공한다.

온세미컨덕터는 ‘PCIM 유럽 2019’에서 SiC 기반의 하이브리드 IGBT 및 관련 절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버를 전시할 예정이다. [사진=온세미컨덕터]

해당 디바이스는 실리콘 기반의 IGBT와 SiC 기반의 쇼트키 배리어 다이오드가 함께 패키징돼 실리콘 기반 솔루션의 낮은 성능과 전체가 SiC 기반 솔루션의 높은 비용 사이의 균형을 맞춘다. 이 고성능 디바이스는 650V 작동에 적합하며, 최대 200A의 펄스 전류뿐 아니라 최대 100A@25℃(50A@100℃)의 직류를 처리할 수 있다. 더 많은 전류 용량이 필요한 시스템의 경우인 PTC(Positive Temperature Co-efficient)에서 쉽고 편리한 병렬 조작이 가능하다.

최신 전기자동차 애플리케이션은 차량 주행 시 에너지를 사용하지만, 경우에 따라서 피크타임시 가정에서 전력을 공급하는 데 사용될 수 있는 에너지를 저장하기도 한다. 이를 위해 전송 도중에 에너지가 소모되지 않도록 고효율 스위칭이 필요한 양방향 충전기가 있어야 한다. 외부 SiC 다이오드가 있는 IGBT는 순방향 및 리버스 리커버리 손실이 없으므로 MOSFET 솔루션보다 훨씬 효율적이다.

AFGHL50T65SQDC는 175℃의 높은 접합 온도에서 작동할 수 있어 자동차를 포함한 가장 까다로운 전력 애플리케이션에 적합하다. 이는 AEC-Q101기반으로 인증됐으며, EV 및 HEV에서 사용에 대한 적합성을 입증한다.

온세미컨덕터는 새로운 하이브리드 IGBT 외에도 PCIM에서 새로운 영역의 절연 고전류 IGBT 드라이버를 발표하고 공개할 예정이다. NCD(V)57000 시리즈는 태양광 인버터, 모터 드라이브, 무정전 전원 장치(UPS)와 파워트레인 및 PTC 히터와 같은 자동차 애플리케이션 등 다중 전력 애플리케이션을 목표로 하고 있다.

NCD(V)57000 시리즈는 내부에 갈바닉 세이프(Galvanic Safe) 절연 기능이 내장된 고전류 단일 채널 IGBT 드라이버로서 높은 신뢰성이 규정된 전원 애플리케이션에서 고효율 작동을 제공하도록 설계됐다. 이는 상보 입력, 오픈 드레인 폴트 및 출력 대기, 액티브 밀러 클램프(Miller Clamp), 정확한 저전압 차단(UVLO), 소프트 턴 오프 기능을 가진 DESAT 보호, 네거티브 게이트 전압 핀과 시스템 설계 유연성을 위한 별도의 온오프 드라이버 출력 핀을 제공한다.

갈바닉 절연은 UL1577의 요구사항을 충족하는 5kVrms 이상에서 적합하며 사용 전압은 1200V 이상이다. 이 디바이스는 강화된 안전 절연 요구사항을 충족시키기 위해 8mm의 크리피지 디스턴스(Creepage Distance(입력>출력))를 보장한다. NCD(V)57000 디바이스는 7.8A의 구동 전류를 제공하고, 일부 경쟁 디바이스의 3배 이상에 달하는 7.1A의 싱크 전류를 가지고 있다. 더 중요한 점은, 이는 밀러 플래토(Miller Plateau) 영역에서 작동 시 더 큰 전류 성능을 발휘할 수 있는데, 첨단 보호 기능과 결합 시 NCD(V)57000 디바이스를 업계 최고의 IGBT 드라이버로 만든다.

[이건오 기자 (news@industrynews.co.kr)]

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