‘BM2SCQ12xT-LBZ’·Î, ±³·ù 400V »ê¾÷±â±âÀÇ ´ëÆøÀûÀÎ ¼ÒÇüÈ·°í½Å·ÚÈ·ÀúÀü·ÂÈ¿¡ ±â¿©
[Àδõ½ºÆ®¸®´º½º ÃÖÈ«½Ä ±âÀÚ] ‘BM2SCQ12xT-LBZ’´Â AC/DC ÄÁ¹öÅÍ IC·Î¼´Â ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î, ¾ÐµµÀûÀÎ ¿¡³ÊÁö Àý¾à ¼º´ÉÀ» ÀÚ¶ûÇÏ´Â SiC MOSFET¸¦ ³»ÀåÇÏ°í ÀÖ´Ù. µð½ºÅ©¸®Æ® ºÎÇ°À¸·Î ±¸¼ºÇÒ °æ¿ìÀÇ ¼³°è °úÁ¦¸¦ ÇØ°áÇÔÀ¸·Î½á, ÀúÀü·Â AC/DC ÄÁ¹öÅ͸¦ °£´ÜÇÏ°Ô °³¹ßÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Á¦Ç°ÀÌ´Ù.
»ê¾÷±â±âÀÇ º¸Á¶ Àü¿ø¿ëÀ¸·Î ÃÖÀûÈµÈ Á¦¾î ȸ·Î¿Í SiC MOSFETÀÇ 1ÆÐÅ°Áöȸ¦ ÅëÇØ, ÀϹÝÇ° ±¸¼º ´ëºñ ´ëÆøÀûÀÎ ºÎÇ°¼ö »è°¨(12°³ ºÎÇ°°ú ¹æ¿ÆÇÀ» 1°³ÀÇ ºÎÇ°À¸·Î »è°¨)°ú ºÎÇ° °íÀå ¸®½ºÅ© Àú°¨, SiC MOSFET ä¿ë¿¡ ´ëÇÑ °³¹ß °ø¼ö »è°¨ µîÀ» µ¿½Ã¿¡ ½ÇÇöÇß´Ù.
¶ÇÇÑ, ±âÁ¸Ç° ´ëºñ ÃÖ´ë 5%ÀÇ Àü·Â °íÈ¿À²È(Àü·Â ¼Õ½Ç·Î ġȯÇϸé 28% »è°¨)¸¦ ½ÇÇöÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. µû¶ó¼, »ê¾÷±â±âÀÇ ´ëÆøÀûÀÎ ¼ÒÇüÈ¿Í °í½Å·Ú¼º, ÀúÀü·ÂÈ¿¡ ±â¿©ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ÀÌ Á¦Ç°Àº 2019³â 1¿ùºÎÅÍ »ùÇà ÃâÇϸ¦ °³½ÃÇßÀ¸¸ç, 2019³â 5¿ùºÎÅÍ ¿ù 10¸¸°³ÀÇ »ý»ê üÁ¦·Î ¾ç»êÀ» °³½ÃÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.
·Î¿ÈÀº ÃÖ±Ù ¿¡³ÊÁö Àý¾à ÀÇ½Ä °íÁ¶¿Í °ü·Ã Á¦Ç°À» ¼±º¸ÀÌ°í ÀÖ´Ù. ±³·ù 400V¸¦ Ãë±ÞÇÏ´Â »ê¾÷±â±â¿¡ ÀÖ¾î¼, ±âÁ¸ÀÇ Si ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼¿¡ ºñÇØ °íÀü¾Ð ´ëÀÀ, ÀúÀü·ÂÈ, ¼ÒÇüÈ°¡ °¡´ÉÇÑ SiC ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Ã¤¿ëÀ» ÃßÁøÇÏ°í ÀÖ´Ù.
ACDC ÄÁ¹öÅÍ À̹ÌÁöµµ [ÀÚ·á=·Î¿È] |
±×µ¿¾È »ê¾÷±â±â¿¡´Â ¸ÞÀÎ Àü¿ø ȸ·Î¿Í ´õºÒ¾î, °¢Á¾ Á¦¾î ½Ã½ºÅÛ¿¡ Àü¿øÀü¾ÐÀ» °ø±ÞÇÏ´Â º¸Á¶ Àü¿øÀÌ ³»ÀåµÅ ÀÖÀ¸¸ç, ÀÌ·¯ÇÑ º¸Á¶ Àü¿ø¿¡´Â ³»¾ÐÀÌ ³·Àº Si-MOSFET ¹× ¼Õ½ÇÀÌ Å« IGBT°¡ ³Î¸® ä¿ëµÇ¾î, ÀúÀü·ÂÈ¿¡ Å« °úÁ¦°¡ ÀÖ¾ú´Ù.
·Î¿ÈÀº ÀÌ·¯ÇÑ °úÁ¦¿¡ ´ëÇØ 2015³â¿¡ ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î °í³»¾Ð·Àú¼Õ½ÇÀÇ SiC MOSFET¸¦ ±¸µ¿ÇÏ´Â AC/DC ÄÁ¹öÅÍ Á¦¾î IC¸¦ °³¹ßÇÏ´Â µî ¾÷°è¸¦ À̲ø¾î¿Ô´Ù. ±×¿¡µû¶ó SiC ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¼º´ÉÀ» ÃÖ´ëÇÑÀ¸·Î ¹ßÈÖ½ÃÅ°´Â IC¸¦ °³¹ßÇØ¿Ô´Ù. À̹ø¿¡ °³¹ßÇÑ Á¦Ç°Àº »ê¾÷±â±âÀÇ SiC MOSFET ä¿ë AC/DC ÄÁ¹öÅÍÀÇ º¸±ÞÀ» ÃËÁøÇÏ´Â SiC MOSFET¸¦ ³»ÀåÇÑ ¼¼°è ÃÖÃÊÀÇ AC/DC ÄÁ¹öÅÍ ICÀÌ´Ù.
½ÅÁ¦Ç° ‘BM2SCQ12xT-LBZ’´Â SiC MOSFET ³»ÀåÀ» À§ÇØ °³¹ßµÈ Àü¿ë ÆÐÅ°Áö¸¦ ä¿ëÇß´Ù. SiC MOSFET ±¸µ¿¿ë °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̺ê ȸ·Î µî »ê¾÷±â±âÀÇ º¸Á¶ Àü¿ø¿ëÀ¸·Î ÃÖÀûÈµÈ Á¦¾î ȸ·Î¿Í 1700V ³»¾Ð SiC MOSFET¸¦ ³»ÀåÇÏ°í ÀÖ´Ù.
¼¼°è ÃÖÃÊÀÇ 1700V ³»¾Ð SiC MOSFET ³»Àå AC/DC ÄÁ¹öÅÍ IC·Î¼, ÇϱâÀÇ Æ¯Â¡À» ½ÇÇöÇÔÀ¸·Î½á, ±³·ù 400V »ê¾÷±â±â¿¡ ¼ÒÇüÈ ¹× °í½Å·Ú¼º, ÀúÀü·ÂÀ» Á¦°øÇÏ¿© SiC MOSFET ä¿ë AC/DC ÄÁ¹öÅÍÀÇ ¿ëÀÌÇÑ µµÀÔ¿¡ ±â¿©ÇÑ´Ù.
½ÅÁ¦Ç° ¾îÇø®ÄÉÀÌ¼Ç À̹ÌÁö [ÀÚ·á=·Î¿È] |
ÃÖ´ë 12°³ ºÎÇ°°ú ¹æ¿ÆÇÀ» 1ÆÐÅ°ÁöÈ ÇØ, ¾ÐµµÀûÀÎ ¼ÒÇüÈ ½ÇÇö
À̹ø¿¡ °³¹ßµÈ Á¦Ç°Àº 1ÆÐÅ°Áöȸ¦ ÅëÇØ ÀϹÝÀûÀÎ Si-MOSFET¸¦ ä¿ëÇÑ µð½ºÅ©¸®Æ® ºÎÇ° ±¸¼º¿¡ ºñÇØ, ÃÖ´ë 12°³ ºÎÇ° (AC/DC ÄÁ¹öÅÍ Á¦¾î IC, 800V ³»¾Ð Si-MOSFET×2, Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµå×3, ÀúÇ×±â×6)°ú ¹æ¿ÆÇÀ» 1ÆÐÅ°ÁöÈ Çß´Ù. ÀÌ·Î½á ´ëÆøÀûÀÎ ºÎÇ°¼ö »è°¨À» ½ÇÇöÇß´Ù. ¶ÇÇÑ, SiC MOSFET°¡ °í³»¾ÐÀ¸·Î °íÀü·Â ³ëÀÌÁî¿¡ °ÇØ, ³ëÀÌÁî ´ëÃ¥ ºÎÇ°µµ ¼ÒÇüÈÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
°ø¼ö ¹× ¸®½ºÅ© Àú°¨°ú µ¿½Ã¿¡ º¸È£ ±â´ÉÀ» žÀçÇØ, ´ëÆøÀûÀÎ °í½Å·ÚÈ ½ÇÇö
1ÆÐÅ°ÁöÈÇÔÀ¸·Î½á, Ŭ·¥ÇÁ ȸ·Î ¹× µå¶óÀ̺ê ȸ·ÎÀÇ ºÎÇ° ¼±Á¤ ¹× ½Å·Ú¼º Æò°¡ÀÇ °ø¼ö »è°¨, ºÎÇ° °íÀå ¸®Å©½º Àú°¨, SiC MOSFET ä¿ë¿¡ ´ëÇÑ °³¹ß °ø¼ö »è°¨ µîÀ» µ¿½Ã¿¡ ½ÇÇöÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
¶ÇÇÑ, SiC MOSFET¸¦ ³»ÀåÇÔÀ¸·Î½á ½ÇÇöÇÑ °íÁ¤¹Ðµµ °ú¿ º¸È£ (Thermal Shutdown) ÀÌ¿Ü¿¡µµ °úºÎÇÏ º¸È£ (FB OLP) ¹× Àü¿øÀü¾Ð ´ÜÀÚÀÇ °úÀü¾Ð º¸È£ (VCC OVP), °úÀü·ù º¸È£, 2Â÷Ãø Àü¾ÐÀÇ °úÀü¾Ð º¸È£ ±â´ÉÀÌ Å¾ÀçµÅ ÀÖ´Ù. ¿¬¼Ó ±¸µ¿ÇÏ´Â »ê¾÷±â±âÀÇ Àü¿ø¿¡ ÇÊ¿äÇÑ ´Ùä·Î¿î º¸È£ ±â´ÉÀ» žÀçÇÔÀ¸·Î½á, ½Å·Ú¼º Çâ»ó¿¡ ±â¿©ÇÑ´Ù.
SiC MOSFETÀÇ ¼º´ÉÀ» ÃÖ´ëÈ ÇØ, ´ëÆøÀûÀÎ ÀúÀü·ÂÈ ½ÇÇö
½ÅÁ¦Ç°¿¡´Â ¾Õ¼ ¾ð±ÞÇßµíÀÌ SiC MOSFET°¡ žÀçµÅ ÀÖ´Ù. ÀÌ¿¡ µû¶ó ±¸µ¿¿¡ ÃÖÀûÀÎ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̺ê ȸ·Î¸¦ ÅëÇØ SiC MOSFETÀÇ ½Ç·ÂÀ» ÃÖ´ëÇÑÀ¸·Î ¹ßÈÖ½ÃÅ´À¸·Î½á, ÀϹÝÀûÀÎ Si-MOSFET ä¿ëÇ° ´ëºñ, ÃÖ´ë 5%ÀÇ °íÈ¿À²È¸¦ ½ÇÇöÇß´Ù.
¶ÇÇÑ, º» Á¦Ç°ÀÇ Á¦¾î ȸ·Î¿¡´Â ÀϹÝÀûÀÎ PWM ¹æ½Ä¿¡ ºñÇØ low noise·Î °íÈ¿À² µ¿ÀÛÀÌ °¡´ÉÇÑ ÀÇ»ç °øÁø (ëôÞÄÍìòÉ) ¹æ½ÄÀ» ä¿ëÇØ, »ê¾÷±â±â¿¡ ´ëÇÑ ³ëÀÌÁîÀÇ ¿µÇâÀ» ÃÖ¼ÒÇÑÀ¸·Î ¾ïÁ¦ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
°í³»¾Ð ¿µ¿ª¿¡¼ SiC MOSFET´Â Si-MOSFET¿¡ ºñÇØ ‘½ºÀ§Äª ¼Õ½Ç ¹× µµÅë ¼Õ½ÇÀÌ Àû´Ù’, ‘´ëÀü·Â ´ëÀÀÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù’, ‘¿Âµµ º¯È¿¡ °ÇÏ´Ù’´Â ÀåÁ¡ÀÌ ÀÖ´Ù. µû¶ó¼, AC/DC ÄÁ¹öÅÍ ¹× DC/DC ÄÁ¹öÅÍ µî¿¡ ä¿ëµÉ °æ¿ì Àü·Â º¯È¯ÀÇ °íÈ¿À²È, ¹æ¿ ºÎÇ°ÀÇ ¼ÒÇüÈ, °íÁÖÆÄ µ¿ÀÛ¿¡ ÀÇÇÑ ÄÚÀÏÀÇ ¼ÒÇüÈ µî, ÀúÀü·ÂÈ ¹× ºÎÇ°¼ö »è°¨ · ½ÇÀå ¸éÀû »è°¨À» ½ÇÇöÇÑ´Ù.
¾ÕÀ¸·Îµµ ·Î¿ÈÀº SiC µð¹ÙÀ̽º µîÀÇ ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼¿Í, ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼¸¦ Á¦¾îÇϱâ À§ÇÑ IC¸¦ °³¹ßÇØ, ÃÖÀûÈµÈ Á¦Ç°À» Á¦°øÇÔÀ¸·Î½á, »ê¾÷±â±âÀÇ ÀúÀü·ÂÈ ¹× ½Ã½ºÅÛÀÇ ÃÖÀûÈ¿¡ ±â¿©ÇØ ³ª°¥ °ÍÀÌ´Ù.
[ÃÖÈ«½Ä ±âÀÚ (news@industrynews.co.kr)]
[ÀúÀÛ±ÇÀÚ © FAÀú³Î SMART FACTORY, ¹«´Ü ÀüÀç ¹× Àç¹èÆ÷ ±ÝÁö]