[인더스트리뉴스 조창현 기자] 에너지 효율을 향상하면서도 탈탄소화에 기여할 수 있도록 지원하는 최신 실리콘 카바이드(SiC) 기술이 공개될 전망이다. 인피니언테크놀로지스(한국대표 이승수)가 차세대 SiC MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 밝혔다.

인피니언이 고성능 시스템을 위한 차세대 SiC 기술 ‘CoolSiC MOSFET G2’를 출시한다. [사진=인피니언]

인피니언은 새로운 CoolSiC MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로 유지하고 있다고 설명다.

CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 SiC가 가진 고유한 성능 이점을 활용해 에너지 손실을 낮추고, 전력 변환 시 보다 높은 효율을 달성할 수 있도록 지원한다. 이에 △태양광 △에너지 저장 △DC EV 충전 △모터 드라이브 △산업용 전원장치 같은 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다는 게 인피니언의 설명이다.

특히 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10%까지 낮출 수 있어 폼팩터 크기를 키우지 않고도 충전 용량은 높일 수 있게 된다. 또 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있으며, 신재생에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기는 줄일 수 있어 와트당 비용 절감에도 도움이 된다.

고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언이 가진 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해 기존 SiC MOSFET 기술 대비 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. 또 CoolSiC G2 기반 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합해 보다 우수한 열전도성과 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다.

한편 인피니언은 실리콘과 SiC, 갈륨 나이트라이드(GaN)를 모두 공급하며 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들이 가진 기대와 요구를 충족하고 있다. 인피니언은 SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 도와 탈탄소화에 기여한다고 전했다.

[조창현 기자 (news@industrynews.co.kr)]

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