[인더스트리뉴스 조창현 기자] 지능형 전력 및 센싱 기술 선도기업 온세미가 실리콘 카바이드(SiC) 제품군으로 ‘Elite 실리콘 카바이드(이하 엘리트SiC)’를 공개했다. 온세미는 신규 출시하는 제품을 통해 에너지 인프라 및 산업용 응용시스템을 위한 신뢰도 높은 고효율 성능을 제공할 예정이다.

온세미가 고성능, 고효율을 갖춘 신규 실리콘 카바이드 제품군 ‘엘리트SiC’ 솔루션을 공개했다. [사진=온세미]

온세미는 해당 제품군 내 1700V 엘리트SiC MOSFET 제품 ‘NTH4L028N170M1’을 통해 고전력 산업용 응용 시스템에 필요한 높은 항복 전압(BV) SiC 솔루션을 제공한다. 또, 1700V급 엘리트SiC 쇼트키 다이오드 ‘NDSH25170A과 NDSH10170A’ SiC 제품 2종은 고효율을 제공하는 것과 더불어 고온에서도 안정적으로 ‘고전압 작동’을 수행할 수 있다.

온세미 사이먼 키튼 파워솔루션그룹부사장겸총괄은 “새로운 1700V 엘리트SiC 디바이스는 전력 손실은 줄이면서 동급 최고효율로 성능 및 품질을 강화하고, 엘리트SiC 솔루션이 가지는 깊이와 폭을 더욱 확장한다”라며, “온세미는 엔드 투 엔드 SiC 제조 역량과 함께 산업용 에너지 인프라 및 응용시스템 제공업체의 요구사항을 충족하는 기술과 공급을 보장한다”라고 강조했다.

1700V 엘리트SiC MOSFET은 게이트 전압이 ‘-10V’까지 변동하는 빠른 스위칭 애플리케이션에 적합하고, 향상된 시스템 신뢰성을 제공한다. 또, ‘-15V에서 25V’까지 넓은 Vgs 범위를 지원한다. 또한 1200V, 40A 테스트 조건에서는 ‘200nC의 게이트 전하(Qg)’로 동급 경쟁 디바이스와 비교해 시장을 선도하는 성능이라는 것이 온세미의 설명이다. 특히 낮은 Qg는 빠른 스위칭과 더불어 고전력 재생에너지 애플리케이션에서 ‘고효율’을 달성하는 데 중요한 요소가 될 수 있다.

아울러 해당 제품군 내 엘리트SiC 쇼트키 다이오드 디바이스는 ‘1700V BV 정격’에서 최대 역전압(VRRM) 및 다이오드 피크 반복 역전압간 향상된 마진을 제공한다. 또 신규 디바이스는 25°C에서 40µA, 175°C에서 100µA 수준 최대 역방향 전류(IR)로 역누설 성능을 지원한다.

[조창현 기자 (news@industrynews.co.kr)]

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