[인더스트리뉴스 조창현 기자] 인피니언테크놀로지스(한국대표 이승수, 이하 인피니언)이 가로 및 세로 각 3.3mm PQFN 패키지로 제공되는 25V~150V의 새로운 ‘OptiMOS 소스-다운(Source-Down) 전력 MOSFET’을 출시한다고 밝혔다.

인피니언이 PQFN 양면 냉각 패키지를 적용한 25V~150V ‘OptiMOS 소스-다운 전력 MOSFET’ 출시한다고 밝혔다. [사진=인피니언]

OptiMOS소스-다운전력MOSFET은 하단면 냉각 및 양면 냉각 구성으로 높은 성능을 요구하는 ‘DC-DC 전력변환’을 위한 솔루션을 제공하며, △서버 △텔레콤 △OR-ing △배터리 보호 △전동 공구 △충전기 등 다양한 애플리케이션에서 시스템 혁신을 가능하게 한다.

해당 제품은 인피니언의 최신 MOSFET 기술과 ‘첨단 패키징’을 결합해 애플리케이션 성능을 한 단계 끌어올리며, 소스-다운 개념을 적용해 MOSFET 다이 소스 단자를 패키지 풋프린트로 향하도록 뒤집어서 PCB로 솔더링한다.

또, ‘온 저항(RDS(on))’을 PQFN 3.3mm x 3.3mm 드레인-다운 디바이스 대비 ‘최대 25퍼센트’까지 높이면서도 향상된 ‘열 인터페이스’를 제공해 스위치 전력손실을 방열판으로 전달한다. 또한 드레인 단자를 위한 클립 디자인을 향상시켰으며, 시장을 선도하는 칩-대-패키지 면적 비율로 설계했다.

아울러 전력스위치를 방열판에 직접적인 경로로 연결해 하단면 냉각 소스-다운 제품보다 전력 소모 능력을 최대 3배까지 높일 수 있으며, 2가지 풋프린트 버전을 제공하기에 PCB 배선을 위한 유연성을 갖추고 있다.

인피니언은 센터 게이트 제품이 디바이스들을 ‘병렬로 연결’해 드라이버-대-게이트 연결을 짧게 할 수 있도록 돕고 있으며, 고객은 최대 298A에 이르는 높은 연속 전류를 제공하는 해당 제품을 사용해 수준 높은 시스템 성능을 달성할 수 있다고 전했다.

[조창현 기자 (news@industrynews.co.kr)]

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