[인더스트리뉴스 조창현 기자] 인피니언테크놀로지스(한국대표 이승수, 이하 인피니언)가 하이브리드-드레인-임베디드 게이트 주입 트랜지스터(CoolGaN 600V HD-GIT) 기술을 자체 제조 설비에 성공적으로 통합해 포괄적인 구성을 갖춘 고품질 GaN 디바이스 포트폴리오를 제공하게 됐다고 밝혔다.

인피니언이 고품질 ‘CoolGaN 600V GIT HEMT’ 포트폴리오를 출시한다. [사진=인피니언]

인피니언 GaN 포트폴리오는 JEDEC 수명 요건을 웃도는 광범위한 디스크리트 및 고집적 GaN 디바이스를 포함한다. 새로운 CoolGaN 디바이스는 △서버 △통신 △산업 및 태양광용 SMPS △충전기 및 어댑터 △모터 드라이브 △TV·모니터 △LED 조명 시스템 같은 컨슈머 애플리케이션에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 최적화돼 있다.

CoolGaN 디스크리트 및 IPS 디바이스 포트폴리오는 JESD47 및 JESD22 같은 JEDEC 표준을 준수해 산업용 애플리케이션 내 특정 요구사항 충족에 대한 유연성을 제공한다. 또 디스크리트 CoolGaN GIT HEMT 디바이스는 △DSO-20-85 △DSO-20-87 △HSOF-8-3 △LSON-81 △TSON-8 패키지로 42mΩ~340mΩ 범위에서 다양한 온(on) 저항값으로 제공된다.

특히 IPS 솔루션은 하프 브리지 형태와 단일 채널 디바이스로 제공된다. 하프 브리지 솔루션은 GaN 스위치 2개를 통합했으며, TIQFN-28 패키지를 기반으로 190mΩ~650mΩ 내 저항값을 지원한다. 단일 채널 솔루션은 열 향상 TIQFN-21 패키지이며 RDS(on),max는 130mΩ~340mΩ까지다.

인피니언 CoolGaN GIT 기술은 견고한 게이트 구조 및 내부 정전기 방전(ESD) 보호와 뛰어난 동적 RDS(on) 성능 같이 고유한 조합을 특징으로 하며, 공진 회로 효율 향상과 새로운 토폴로지 및 전류 변조 사용 등에 활용하기 적합하다. 인피니언은 GaN이 갖는 본질적 특성을 최대한 활용해 △Si 기술 대비 10배 높은 항복 전계 △2배 높은 전자 이동도 △10배 낮은 출력 전하 △제로 역 회복 전하 △10배 낮은 선형 출력 정전 용량(COSS)의 게이트 전하 등 높은 FoM(성능지수)을 제공한다고 설명했다.

아울러 CoolGaN 600V GIT 디스크리트 디바이스는 상단면 및 하단면 TSC 및 BSC 냉각으로 JEDEC 표준을 충족하는 패키지이며, TSC 전력 패키지는 높은 전력 요구 사항을 충족할 수 있다. 이에 높은 전력 밀도로 콤팩트하고 가벼운 제품을 설계해 에너지 효율을 높이고 총 시스템 비용을 낮출 수 있으며, 에너지 소비가 많은 애플리케이션에 대한 운영 및 유지보수 비용을 절감할 수 있다.

[조창현 기자 (news@industrynews.co.kr)]

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